《Benzinga》報導,HBM(高頻寬記憶體) 是為輝達最新 AI 加速器提供動力的專用晶片,未來數年似乎仍將由美光科技 (MU-US)、SK 海力士 (SK Hynix)(SKHY-US) 和三星電子 (Samsung Electronics) 等現有龍頭企業主導。然而,中國在通用型 DRAM 和 NAND 領域正快速取得進展。
詳細內文請參閱新聞出處: https://news.cnyes.com/news/id/6547391
(本文轉載自:鉅亨網新聞中心)
《Benzinga》報導,HBM(高頻寬記憶體) 是為輝達最新 AI 加速器提供動力的專用晶片,未來數年似乎仍將由美光科技 (MU-US)、SK 海力士 (SK Hynix)(SKHY-US) 和三星電子 (Samsung Electronics) 等現有龍頭企業主導。然而,中國在通用型 DRAM 和 NAND 領域正快速取得進展。
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